Компютрите

отвън и отвътре

©Христо Тужаров, 2007

ВИДОВЕ DRAM  ПАМЕТ

 

[Home] [Карта на книгата] [Асеневци] [За проекта] [Начало на книгата]

ОПЕРАТИВНА ПАМЕТ

ЯДРО НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ

УПРАВЛЕНИЕ НА ПАМЕТТА

ВИДОВЕ DRAM  ПАМЕТ

ЛОГИЧЕСКА ОРГАНИЗАЦИЯ НА ПАМЕТТА

ПАКЕТИРАНЕ НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ

 

 

Същност на DRAM памет

В основата на всеки от познатите DRAM памети стои един и същи вид клетка. По същество клетката се състои от кондензатор, транзистор, и връзки към други клетки. Един чип  RAM обикновено съдържа милиони клетки. Производителите нареждат клетките в матрица с еднакъв брой редове и колони. В 4 Мbit DRAM има 2048 реда и толкова колони. Обръщението към клетката става с нейния адрес, който се трансформира в номер на ред и номер на колона. От своя страна номерата на ред и колона се изпращат към матрицата от клетки, мултиплицирани във времето по една и съща шина.

 

Асинхронни DRAM памети

 

             Fast Page Мode DRAM

Използва пълния адрес (номер на ред и номер на колона) само първия път. При четене на следващите битове трябва да се сменя само номера на колоната, докато номера на реда остава същия.Така достъпът се ускорява почти три пъти.

 

             EDO (Extended Data Output)

Работи по аналогичен с горната памет начин, като се различава само в някои детайли. Припокрива се процеса на задаване на нов адрес и четене на старите данни. Обемът на прочетените данни нараства с около 25%.

 

Синхронни DRAM памети

 

             SDRAM(Synchronous DRAM)

Използват тактов сигнал за синхронизиране на входните и изходни сигнали. При тестове показват 50% по-добри резултати от EDO и така осигуряват около 25% по-добра системна производителност. Бързодействието на SDRAM е пряко свързано със тактовата честота на системната шина, като възможните варианти са показани в таблицата по-долу.

 

 

Бързодействие на паметта, ns

Максимална честота на шината, MHz

12

83

10

100

8

125

7

133

 

SDRAM се произвежда само в 168 извода, 64-разрядни модули DIMM.

 

             DDR (Double Data Rate) или SDRAM II

Второ поколение памет SDRAM. Осигурява двоен трансфер, тъй като извършва прехвърлянето на данните и при преден и заден фронт на синхронизиращия сигнал. Същевременно се запазва същата тактовата честота, т.е. може да работи със същия процесор.

 

             SLDRAM (synclink DRAM)

Тя е разширение на SDRAM стандарта, като позволява да се увеличи броя на банките за памет от 4 на 16.

 

             RDRAM (Rambus DRAM)

Тази технология увеличава десетократно скоростта на пренос на данните в сравнение със стандартната SDRAM благодарение на технологията RSL (Rambus Signaling Logic).

 

Развитие на DRAM паметите

 

Година

Технология

Капацитет

95 -1996 г

FPM -- EDO DRAM

4MB -- 16 MB

97 - 1998г

EDO -- SDRAM

16MB -- 64 MB

98 - 2000г

SDRAM -- RDRAM

64 MB -- 256 MB

 

Типове и производителност на DRAM памети

 

Тип

памет

Година

Тип

модул

Напре-

жение в.

Макс.

тактова

честота

Макс.

пропускна

способност

Мбайт/сек

FPM DRAM

 

EDO DRAM

 

SDR SDRAM

 

Rambus DRAM

 

DDR SDRAM

 

DDR2 SDRAM

 

DDR3 SDRAM

1987-1995

 

1995-1998

 

1998-2002

 

2000-2002

 

2002- 2005

 

2005-2008

 

2008+

30контакта

SIMM

72контакта

SIMM

168контакта

DIMM

184контакта

RIMM

184контакта

DIMM

240контакта

DIMM

240контакта

DIMM

5

 

5

 

3.3

 

2.5

 

2.5

 

1.8

 

1.5

22

 

33

 

133

 

1066

 

400

 

1066

 

1600

177

 

266

 

1066

 

2133

 

3200

 

8533

 

12800

 

Възможности на различните технологии DRAM памет

 

Параметри

EDO

SD

RAM

DDR

SD RAM

SLD

RAM

Direct

RDRAM

Производи-телност   МВ/s

66

125

200

400

1600

MHz

66

125

200

400

800

Стандарт

JE-DEC

JE-DEC

JEDEC

SLD RAM

Rambus

Напрежение

3.3 V

3.3 V

3.3 V

2.5 V

2.5 V

Банки данни

в конвейр

 

2

4

16